Toshiba Sosialisasi MOSFET Daya N-Channel 80V dengan Teknologi Generasi Baru untuk Dukung Efisiensi Pusat Data AI
Meeting Results – Kawasaki, Jepang—(ANTARA/Business Wire)—Perusahaan elektronik terkemuka Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation telah meluncurkan produk baru bernama TPM1R408RH, sebuah MOSFET daya N-channel 80V yang dirancang dengan teknologi proses generasi terbaru, U-MOS11-H. Produk ini dikembangkan untuk memenuhi kebutuhan industri modern, terutama dalam lingkungan pusat data AI dan infrastruktur komunikasi yang semakin kompleks.
Pengiriman TPM1R408RH dimulai hari ini, sebagai bagian dari komitmen Toshiba untuk meningkatkan kinerja semikonduktor dalam sistem daya.
Dalam era digital yang berkembang pesat, permintaan akan efisiensi daya di pusat data terus meningkat. Pemrosesan AI yang semakin luas, serta kemajuan infrastruktur komunikasi, memaksa sistem catu daya mode-switching menghadapi tantangan baru, seperti peningkatan densitas daya dan pengurangan gangguan elektromagnetik (EMI). Karena kehilangan daya secara langsung memengaruhi konsumsi energi, suhu operasional, dan efisiensi pendinginan, penerapan semikonduktor dengan karakteristik optimal menjadi krusial untuk mengurangi beban pada sistem.
TPM1R408RH hadir dengan struktur perangkat yang telah dioptimalkan, sehingga mampu menghasilkan resistansi-On drain-source (RDS(ON)) sebesar 1,4 mΩ (maksimal). Nilai ini sekitar 26% lebih rendah dibandingkan dengan model sebelumnya, TPM1R908QM, yang menggunakan proses U-MOS X-H generasi lama. Selain itu, produk ini juga meningkatkan keseimbangan antara RDS(ON) dan total muatan gate (Qg), mencapai penurunan hingga 45% pada nilai kinerja RDS(ON) × Qg. Karakteristik ini dianggap sebagai salah satu yang terbaik dalam industri semikonduktor.
Kinerja EMI pada catu daya mode-switching menjadi faktor utama dalam desain sistem. TPM1R408RH dirancang untuk menekan lonjakan voltase antara drain dan source selama proses switching, yang secara signifikan berkontribusi pada pengurangan gangguan elektromagnetik. Dengan menekan sumber kebocoran voltase secara langsung, produk ini mempermudah desain dan mengurangi kebutuhan komponen filter tambahan.
Perbedaan Teknis dan Keunggulan Paket
Produk ini menggunakan paket SOP Advance(E), yang menawarkan penurunan sekitar 65% pada resistansi paket dan 15% pada resistansi termal dibandingkan paket SOP Advance(N) dari Toshiba. Penggunaan paket ini memungkinkan pembuangan panas yang lebih efektif, serta peningkatan kepadatan daya, sehingga memfasilitasi desain catu daya yang lebih kompak dan hemat energi.
Dalam pengujian, pemilihan bahan dan desain interiornya terbukti mengurangi timbulnya panas selama operasi. Hal ini menjadikannya pilihan ideal untuk lingkungan dengan ruang terbatas dan kebutuhan daya yang tinggi, seperti pusat data AI yang membutuhkan stabilitas energi sepanjang waktu.
Alat Bantu Desain untuk Pemrosesan Switching
Toshiba juga melengkapi peluncuran ini dengan alat bantu desain sirkuit. Selain model SPICE G0 yang memverifikasi fungsi sirkuit dalam waktu singkat, kini tersedia model G2 SPICE yang memiliki akurasi tinggi. Model ini mampu mereproduksi karakteristik transien secara detail, memudahkan pengembangan dan uji coba sistem.
Dengan simulator sirkuit online di situs web Toshiba, pengguna dapat langsung memverifikasi pengoperasian sirkuit melalui browser web. Tidak perlu menginstal lingkungan simulasi khusus atau mengunduh model perangkat, karena simulator ini memberikan akses langsung ke data teknis dan fungsi produk.
Mengapa Produk Ini Penting untuk Industri?
MOSFET adalah komponen kritis dalam manajemen daya, terutama di sektor AI dan komunikasi. Dengan kemampuan menekan kehilangan daya seimbang antara konduksi dan switching, TPM1R408RH menjadi jawaban untuk tantangan yang dihadapi oleh pusat data yang semakin besar. Keunggulan utamanya terletak pada peningkatan efisiensi energi, yang berdampak langsung pada biaya operasional dan keberlanjutan lingkungan.
Dalam bidang komunikasi, perangkat ini memenuhi permintaan akan komponen dengan ukuran kecil dan kehilangan daya minimal. Proses U-MOS11-H yang digunakan pada TPM1R408RH memberikan performa yang lebih baik dibandingkan teknologi sebelumnya, termasuk peningkatan daya tahan dan stabilitas selama penggunaan intensif.
Toshiba berkomitmen untuk terus mengembangkan lini produk MOSFET daya. Produk baru ini menunjukkan langkah nyata dalam menyesuaikan solusi dengan kebutuhan industri yang dinamis, seperti peningkatan kecepatan pemrosesan dan kebutuhan daya yang lebih efisien.
Spesifikasi Teknis dan Ketersediaan
Beberapa spesifikasi teknis TPM1R408RH mencakup: – Voltase drain-source (VDSS): 80V – RDS(ON) (mΩ): 1,4 (maks.) – Qsw (nC):
10 nC (data spesifik diukur pada kondisi VGS=10V, ID=50A, Ta=25°C).
– Waktu pemulihan balik (trr): 45 ns – Qrr (nC): 10 nC Spesifikasi ini memastikan produk ini cocok untuk aplikasi seperti catu daya berkecepatan tinggi, perangkat industri, dan sistem komunikasi modern.
Ketersediaan produk dapat diakses melalui distributor online. Pengguna dapat mengunjungi tautan ini untuk informasi lebih lanjut. Selain itu, Toshiba menyediakan layanan dan dukungan teknis untuk memastikan implementasi yang optimal.
Untuk memperjelas spesifikasi, berikut penjelasan terkait data teknis: – [1] Per bulan Juni 2026, berdasarkan proses MOSFET daya voltase-rendah Toshiba. – [2] VGS=10V, ID=50A, Ta=25°C. – [3] Survei Toshiba, per bulan Juni 2026. Seluruh data dan spesifikasi dalam dokumen ini berlaku pada saat peluncuran, tetapi dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah perusahaan terkemuka yang menawarkan solusi semikonduktor dan penyimpanan inovatif. Dengan pengalaman lebih dari beberapa dekade, perusahaan ini terus berkontribusi dalam pengembangan teknologi yang mendukung evolusi perangkat elektronik modern.
Kompetensi Toshiba dalam desain dan produksi semikonduktor menjadikannya mitra utama bagi berbagai industri, termasuk AI, komunikasi, dan manufaktur. Produk seperti TPM1R408RH menjadi bukti komitmen perusahaan untuk meningkatkan efisiensi daya dan keandalan sistem.
Melalui kemit
